在镓砷基半导体上生长氧化物
与常见的硅基半导体相比，镓砷基(GaAs)半导体有许多优点，例如可以制成速度更快的晶体管。对半导体来说，其上部需要一个氧化层来隔离电荷，而在镓砷上生长一个氧化层非常困难，这也是镓砷基半导体材料要付诸于应用面临的一大障碍。贝尔实验室的Hong等人在镓砷上成功地生长出了一个“外延”单晶氧化镓层。将新的半导体材料如镓砷用在一种特定类型的晶体管如MOSFET上是半导体工业长期努力的目标。目前，硅基材料MOSFET在计算机芯片上起着转换电流的作用。用他们的新方法，作者制得了镓砷MOSFET，并称在镓砷半导体上生长出氧化膜的成功“对化合物半导体电子工业有潜在的巨大影响。”
