以纳米尺度测量硅电子器件内应力的方法 来源： 蜘蛛网 时间：2008年6月19日 10:05 将硅置于应力下，可增强电荷载体在半导体中的运动，所以现在将应力预置进最新高性能硅器件中的做法就不足为怪了。然而，我们缺少的是一种多功能的工具，用来测量（甚至了解）这类器件中所产生的复杂应力分布。来自图卢兹“材料增强与结构研究中心”的一个小组研究出一种新方法，该方法将两种众所周知的方法——“云纹干涉法”和“电子全息法”结合在一起，来以纳米尺度测量应力。这一新方法能够获得很高的空间分辨率和精确度，并且有一个大的视场，克服了现有方法的大部分局限性。 上一篇 下一篇 TAG: 纳米 电子器件
